SK하이닉스, 7세대 HBM 로직 다이에 TSMC 3나노 공정 검토
조선비즈•3. 19.
🤖 AI 요약
📌 배경: SK하이닉스는 고성능 AI 반도체 수요 증가에 맞춰 차세대 HBM 개발에 집중하고 있음.
핵심 팩트 1: SK하이닉스가 7세대 HBM인 HBM4E의 로직 다이에 TSMC의 3나노미터(nm) 공정 활용을 유력하게 검토 중.
핵심 팩트 2: HBM의 D램뿐만 아니라 연산 처리를 담당하는 로직 다이에 첨단 공정을 적용하여 성능 우위를 확보하려는 전략.
💬 코멘트: 첨단 공정 도입을 통해 HBM 시장에서의 기술 리더십을 강화할 것으로 예상됨.
• SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E의 핵심 부품인 '로직 다이' 생산에 TSMC의 3나노미터(nm) 공정 도입을 유력하게 검토하고 있음.
• 이는 HBM에 적층되는 D램뿐만 아니라, HBM의 연산 처리를 담당하는 로직 다이에도 최첨단 공정을 활용하여 성능 경쟁력을 높이려는 전략임.
• 해당 기술은 올해 양산에 적용될 예정임.
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