베이징대, 칩 분야에서 1나노미터급 중요 돌파구 마련

베이징대 전자공학 연구팀, 1나노미터 물리적 게이트 길이를 가진 철전 트랜지스터 개발

✅ 연구진: “철전 트랜지스터의 물리적 게이트 길이를 1나노미터 한계까지 줄임” - 베이징대 전자공학 연구원, 추천광

✅ 특징: 최소 크기, 최저 전력 소비 철전 트랜지스터

✅ 기대 효과: AI 칩 연산 능력 및 에너지 효율 향상 핵심 장치 지원

✅ 연구 결과: 《과학·발전》에 온라인 발표

✅ 추천광 설명: 초저 작동 전압, 극저 에너지 소비 특성 나노 게이트 철전 트랜지스터는 고효율 데이터 센터 구축 핵심 장치 솔루션 제공, 차세대 고성능 AI 칩 개발에 중요한 기술적 토대 마련